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J-GLOBAL ID：200903057008377364

半導体装置

Inventor： 樋野 滋一
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132696
Publication number (International publication number)：1998321758
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 バンプ電極を有する半導体ペレットとパッド電極を有する配線基板とを導電性粒子を分散させた異方性導電樹脂で、バンプ電極とパッド電極とを電気的に接続すると同時に半導体ペレットと配線基板とを接着するようにした半導体装置では、バンプ電極とパッド電極の間に安定的に導電性粒子を位置させることができないため、電気的接続不良となることがあった。【解決手段】 バンプ電極14を有する半導体ペレット11とパッド電極17を有する配線基板15とを対向させ、この対向面間に導電性粒子19を分散させた樹脂18を供給し、バンプ電極14とパッド電極17間に導電性粒子19を介在させて接着したフリップチップ構造の半導体装置において、バンプ電極14とパッド電極17間に位置する樹脂18中の導電性粒子19の分散密度を他の部分の分散密度より大きく設定した半導体装置。

Claim (excerpt)：

一主面上に多数のバンプ電極を形成した半導体ペレットと前記バンプ電極に対応してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、この対向面間に導電性粒子を分散させた樹脂を供給し、バンプ電極とパッド電極間に導電性粒子を介在させて加圧接着したフリップチップ構造の半導体装置において、前記バンプ電極とパッド電極間に位置する樹脂中の導電性粒子の分散密度を他の部分の分散密度より大きく設定したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 21/60 311 S