プラズマプロセス用装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997319019
Publication number (International publication number)：1998125665
Application date： May. 12, 1989
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【技術課題】基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。【解決手段】容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第1及び第2電極102,104と、プラズマに対して安定な材料から成り第1電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第2電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第1電極102に接続される第1の高周波電源111と、第2電極104に接続される第2の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第1の高周波電源の周波数が前記第2の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

減圧可能な容器内にプラズマを発生させ、該プラズマ中で被処理物の処理を行うように構成されたプラズマプロセス用装置において、前記容器内に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第1及び第2の電極と、少くとも前記プラズマに対して安定な材料から成り前記第1の電極上を覆うように設けられる保護部材と、前記第2の電極上に被処理物を取り付けるための保持手段と、前記第1の電極に接続される第1の高周波電源と、前記第2の電極に接続される第2の高周波電源と、前記容器内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、前記第1の高周波電源の周波数が前記第2の高周波電源の周波数より高いことを特徴とするプラズマプロセス用装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/027 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 C , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭57-131374
特開昭62-193126

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