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J-GLOBAL ID:200903057015565222
光の抽出を改善すべくフリップチップ発光ダイオードに量子井戸を選択的に設ける方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002297409
Publication number (International publication number):2003179255
Application date: Oct. 10, 2002
Publication date: Jun. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】 抽出効率を増加させLEDにより生成される総積算束を増加させること。【解決手段】 本発明は、活性領域から反射性オーミックコンタクトまでの間隔を適当に選択することにより、LEDの上面からの光抽出を高める。活性領域から反射性コンタクトまでの間隔を適切に選択することは、上方に導かれた光の干渉縞を発光のための脱出錐体内に集中させることになる。適切な間隔は、ほぼλn/4であり、かつ、2.3λn/4≦d≦3.1λn/4(好ましくは〜2.6λn/4)及び4.0λn/4≦d≦4.9λn/4(好ましくは〜4.5λn/4)の範囲にある。これにより光の抽出が高められる。
Claim (excerpt):
発光ダイオードのための構造であって、a)光を発することが可能な、実質的に平坦な発光領域と、b)前記光を反射させ、前記発光領域から分離距離により分離された反射体と、を具備し、前記分離距離は、前記発せられた光の直接ビームと反射したビームとの間の界面が発光を前記発光ダイオードの上部脱出錐体に集中させるようになっていることを特徴とする構造。
F-Term (6):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041DA04
, 5F041DA09
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