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J-GLOBAL ID：200903057033400095

強誘電体薄膜メモリ

Inventor： 田村 博明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089838
Publication number (International publication number)：2003282830
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】優れた水素バリア性能を有する材料であっても、結晶性良くキャパシタ上に形成することが困難であったため、プロセスに起因して発生する水素から強誘電体薄膜を十分に保護できないことが課題であった。【解決手段】 水素バリア膜のかわりに水素を貯蔵する性質を有する材料をキャパシタ上に設けることによって、プロセスに起因して発生する水素を捕獲し、キャパシタを水素雰囲気から隔離する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下部電極、酸化物強誘電体薄膜および上部電極を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、このキャパシタ表面に被覆された保護膜層と、この保護膜層の前記上部電極上に設けられた開口部と、前記保護膜層上および前記開口部に形成された配線層とを具備する強誘電体薄膜メモリにおいて、前記保護膜層として水素の貯蔵性を有する薄膜が堆積されていることを特徴とする強誘電体薄膜メモリ。

F-Term (6)：

5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 強誘電体記憶素子および強誘電体記憶素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-119078   Applicant：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-324254   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-302215   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-276782   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-010253   Applicant：株式会社東芝
• コンデンサ構造の保護のための絶縁性と導電性の障壁の使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-389336   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176654   Applicant：富士通株式会社