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J-GLOBAL ID：200903057047630980

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008348
Publication number (International publication number)：1995221070
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体薄膜を用いた半導体装置の電極等に用いる、白金層の異方性ドライエッチング方法を提供する。【構成】 S2 F2 等プラズマ中に遊離のイオウを放出しうるハロゲン化イオウ系化合物を含むエッチングガスを用いて、基板温度を特定範囲に加熱制御しつつPt系金属層3をドライエッチングする。【効果】 イオウあるいはポリチアジル等のイオウ系化合物の堆積を側壁保護膜6として利用するので、異方性が向上する。特定温度範囲の基板加熱を行うので実用的なエッチングレートが得られる。エッチング終了後は側壁保護膜を基板加熱により昇華除去するのでパーティクル汚染の虞れがない。

Claim (excerpt)：

被エッチング基板を90°C以下に制御しつつ、放電電離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを放出しうるハロゲン化イオウ系化合物を含むエッチングガスにより、被エッチング基板上にイオウを堆積させながら、Pt金属層をエッチングすることを特徴とする、Pt金属層のドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219229   Applicant：大見忠弘
• 特開平4-318927
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-059106   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-324929   Applicant：松下電子工業株式会社
• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302703   Applicant：三菱電機株式会社