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J-GLOBAL ID：200903057056199753

高耐圧半導体素子

Inventor： 松下 憲一 ,  中川 明夫 ,  大村 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117145
Publication number (International publication number)：1993136435
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板の電界集中を緩和して高耐圧化を図った半導体素子を提供することを目的とする。【構成】高耐圧ダイオードには、n型シリコン層1に選択的に高濃度p型層2が形成され、これから所定距離離れて高濃度n型層3が形成される。高濃度p型層2と高濃度n型層3の間のn型シリコン層1の表面にシリコンより誘電率の大きい絶縁体膜8が配設され、基板表面の電界集中が緩和される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の第1導電型高抵抗層に選択的に第2導電型高濃度層が設けられ、この第2導電型高濃度層から所定距離離れて前記第1導電型高抵抗層に第1導電型高濃度層が設けられた構造を持つ半導体素子において、前記第2導電型高濃度層と第1導電型高濃度層との間で前記第1導電型高抵抗層の表面または底部に前記基板より誘電率の大きい絶縁体膜が配設されていることを特徴とする高耐圧半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭48-017973
  
• 特開昭62-195133
  
• 特開平4-014266
  
• 特開平2-016751
  

Cited by examiner (6)

• 特開昭48-017973
  
• 特開昭48-017973
  
• 特開昭62-195133
  
• 特開昭62-195133
  
• 特開平4-014266
  
• 特開平2-016751