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J-GLOBAL ID：200903057059890120

固体撮像装置の製造方法

Inventor： 阿部 秀司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341333
Publication number (International publication number)：1994169079
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、Alシャント構造の固体撮像装置において、垂直転送方向のフォトセンサ間上におけるAl配線の間隔を狭く形成する方法を提案することにより、スミアの発生を低減して品質の向上を図って固体撮像装置を得る。【構成】 固体撮像装置1 の転送電極11を覆う状態に形成した絶縁膜12上に、配線形成膜21を成膜し、次いでその上面にエッチングマスク形成膜22を成膜する。続いてセンサ開口用のフォトマスク(図示せず)を用いてフォトセンサ13上のエッチングマスク形成膜22a を露光して開口パターン像41を形成し、さらにスリット形成用のフォトマスク(図示せず)を用いてフォトセンサ13a,13b 間のエッチングマスク形成膜22b を露光してスリットパターン像42を形成する。その後エッチングマスク形成膜22を現像処理してエッチングマスクパターン23を形成した後、エッチングして遮光兼駆動用のアルミニウム配線24を形成する。

Claim (excerpt)：

固体撮像装置の転送電極を覆う状態に形成した絶縁膜上に、配線形成膜を成膜する第1の工程と、前記配線形成膜の上面にエッチングマスク形成膜を成膜する第2の工程と、センサ開口用のフォトマスクを用いて、前記固体撮像装置のフォトセンサ上の前記エッチングマスク形成膜を露光して開口パターン像を形成するとともに、スリット形成用のフォトマスクを用いて、フォトセンサ間の前記エッチングマスク形成膜を露光してスリットパターン像を形成する第3の工程と、前記露光したエッチングマスク形成膜を現像処理してエッチングマスクパターンを形成する第4の工程と、前記エッチングマスクパターンを用いて前記配線形成膜をエッチングして遮光兼駆動用のアルミニウム配線を形成する第5の工程とを行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/88 B