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J-GLOBAL ID：200903057073034296

ダイオード

Inventor： 桜井 敬二
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992297497
Publication number (International publication number)：1994151816
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードの順方向立上がり電圧を逆方向降伏電圧を低めないで小さくする。【構成】バリアハイトの低い金属を用いたショットキーバリアと高い金属を用いたショットキーバリアを同一半導体基板上に形成し、バリアハイトの低い金属により順方向立上がり電圧を低くすると共に、それにより低くなる逆方向降伏電圧はPN接合を形成してそれによる空乏層がバリアハイトの低い金属電極の下でつながるようにすることにより補い、バリアハイトの高い金属電極の下では空乏層がつながらないようにすることによりそのバリアの高い逆方向降伏電圧を生かす。

Claim (excerpt)：

第一導電形の半導体層の表面層に交互に狭い間隔と広い間隔を介して第二導電形の領域が設けられ、狭い間隔の第二導電形領域間に露出する第一導電形の表面から両側の第二導電形領域の表面にかけて第一金属よりなる第一電極が接触し、広い間隔の第二導電形領域間に露出する第一導電形の表面から両側の第二導電形領域の表面にかけて第二金属よりなり、第一電極と接続される第二電極が接触し、その場合第一金属と半導体との間のバリアハイトが第二金属と半導体との間のバリアハイトより低いことを特徴とするダイオード。