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J-GLOBAL ID：200903057102734367

単結晶引上げ方法及びその装置

Inventor： 山内 剛 ,  中居 克彦 ,  大久保 正道 ,  小島 清
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 小堀 益
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993062248
Publication number (International publication number)：1994271399
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チョクラルスキー法によるSi引上げによる単結晶の育成に際して、Siメルト中への溶解を簡単に行い、しかも、引上げ単結晶中に転位を生じることのない手段の提供。【構成】 Siメルト中にガス状の窒素を吹込み、Siメルト中に窒素を固溶させる。吹込み自体は比較的簡単に行うことができ、最大溶解量に達したのちでも吹込みガスは泡状となって浮き上がるので、簡単に回収し再利用することができる。

Claim (excerpt)：

Siメルト中に窒素ガスを吹込んで窒素を固溶せしめるに際して、メルト表面から放出される窒素ガスをSiメルト表面直上で回収し、再使用する窒素ドーピング単結晶引上げ方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/04