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J-GLOBAL ID：200903057103626894

半導体ウエーハの洗浄方法

Inventor： 稲垣 靖史 ,  片岡 豊隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049724
Publication number (International publication number)：1993166778
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いた半導体ウェーハ表面の洗浄処理における短時間洗浄、安全性を図る。【構成】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウェーハを洗浄処理する半導体ウェーハの洗浄方法において、上記混合洗浄液における塩酸:過酸化水素の純分混合比を重量%で0.8:1〜12:1に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を28〜35.4重量%に設定する。

Claim (excerpt)：

塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウエーハを洗浄処理する半導体ウエーハの洗浄方法において、上記混合洗浄液における塩酸:過酸化水素の純分混合比を重量%で0.8:1〜12:1に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を28〜35.4重量%に設定することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。