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J-GLOBAL ID：200903057105319859
ガスクラスレート、その製造方法及び装置、ガスクラスレートの貯蔵方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
佐々木 宗治
, 小林 久夫
, 木村 三朗
, 大村 昇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366383
Publication number (International publication number)：2004196935
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】比較的緩い物理条件でも解離することのない安定的なガスクラスレート及び、その製造方法及び装置を得る。【解決手段】ガス分子をゲスト分子とし、液体分子をホスト分子として形成されるガスクラスレートであって、核部分とそれを覆う殻部分が異なるガスクラスレートからなる少なくとも2層構造からなり、殻部分を構成するガスクラスレート3のクラスレート生成物理条件が、核部分を構成するガスクラスレート1のガスクラスレート生成物理条件よりも緩いことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガス分子をゲスト分子とし、液体分子をホスト分子として形成されるガスクラスレートであって、核部分とそれを覆う殻部分が異なるガスクラスレートからなる少なくとも2層構造からなり、殻部分を構成するガスクラスレートのゲスト分子のクラスレート生成物理条件が、核部分を構成するガスクラスレートのゲスト分子のガスクラスレート生成物理条件よりも緩いことを特徴とするガスクラスレート。
IPC (7)：
C10L3/06
, C07B61/00
, C07B63/02
, C07C5/00
, C07C9/04
, C07C9/08
, F17C11/00
C10L3/00 A
, C07B61/00 C
, C07B63/02 B
, C07C5/00
, C07C9/04
, C07C9/08
, F17C11/00 B
3E072EA10
, 4H006AA02
, 4H006AC93
