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J-GLOBAL ID：200903057106468645

微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 岡部 一朗
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
Agent (1)： 高田 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999236100
Publication number (International publication number)：2001060583
Application date： Aug. 23, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、アダマンタン骨格を有するレジストパターンのエッチングレートが局所的に大きくなるのを防止することを目的とする。【解決手段】 エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルの重合体、あるいはそれらのエステル類の共重合体を主成分とする化学増幅型フォトレジスト1を下地基板上に形成する(図2(a)。写真製版によりフォトレジスト1aにマスクパターンを転写する(図2(b)および図2(c))。フォトレジスト1aに化学活性線7を照射してC=O基の濃度を下げたフォトレジスト1aを形成する(図2(d))。フォトレジスト1aをマスクとしてエッチングを行うことで下地基板に微細パターンを形成する(図2(e))。

Claim (excerpt)：

所望パターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして微細パターンを形成する方法であって、エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルの重合体、あるいはそれらのエステル類の共重合体を主成分とする化学増幅型フォトレジストを下地基板上に形成する工程と、写真製版により、前記フォトレジストにマスクパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに含まれる炭素と酸素の結合基の少なくとも一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 J

F-Term (45)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025FA03 ,  2H025FA06 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA30 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA01 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA03 ,  2H096HA24 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB01 ,  5F004BB02 ,  5F004BB11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA23 ,  5F004EB03 ,  5F004FA04 ,  5F004FA08 ,  5F046AA07 ,  5F046AA09 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-039665
  
• 特開平4-039665