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J-GLOBAL ID：200903057109344890

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

Inventor： マンジン ジェローム キム ,  ジェイン-チェン ヤング
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992340571
Publication number (International publication number)：1993275713
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電気的プログラムが可能で消去可能な不揮発性メモリで、チップ表面積を大幅に減少させる。さらに金属接続を減じ信頼性の向上、製造コストの低減を図る。【構成】 多結晶ゲート構造の列を画成するトレンチの側壁に方向性あるイオン・インプランテーション工程により、ソース及びドレイン領域を形成し、かつ接続用金属層は1層のみとする。

Claim (excerpt)：

次の各構成を具えてなる不揮発性メモリ装置:基板;一部分がこの基板を通じて延びている複数個の平行なトレンチ;各トレンチは、トレンチの1つの壁部を横切るように設けられた少なくとも第1ドープ領域を有する;基板上に形成された積重ね多結晶ゲート構造の行及び列のアレイで、各列は上記トレンチの2つを分離するように設けられたアレイ構造;上記ドープ領域は幅より大きな高さを有し、その高さ方向はトレンチの壁部と平行であり、幅方向はトレンチ壁部に直角である;を特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-213970
  
• 特開平2-000360