分布帰還型半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋友二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997341967
Publication number (International publication number)：1999163464
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】均一グレーティングDFBレーザでは、大きな閾値利得差が得られず、シングルモード歩留りも悪く、一方、λ/4シフトDFBレーザでは、大きな光出力が得られないという問題を解決する。【解決手段】 AR-ARコーティングのλ/4シフトDFBレーザにおいて、位相シフト点より前方の回折格子の共振器軸方向の長さをL<SB>2</SB>,位相シフト点より後方の回折格子の共振器軸方向の長さをL<SB>1</SB>,位相シフト点より前方の回折格子の結合係数の平均値をκ<SB>2</SB> ,位相シフト点より後方の回折格子の結合係数の平均値をκ<SB>1</SB> とした場合、 L<SB>1</SB><L<SB>2</SB>, κ<SB>1</SB> <HAN>・</HAN>L<SB>1</SB> >κ<SB>2</SB><HAN>・</HAN>L<SB>2</SB> としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

回折格子上にλ/4の位相シフト点を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、主レーザ光を出射する方向を前方,参照レーザ光を出射する方向を後方,前記位相シフト点より前方の回折格子の共振器軸方向の長さをL<SB>2</SB>,前記位相シフト点より後方の回折格子の共振器軸方向の長さをL<SB>1</SB>,前記位相シフト点より前方の回折格子の結合係数の平均値をκ<SB>2</SB> ,前記位相シフト点より後方の回折格子の結合係数の平均値をκ<SB>1</SB> とした場合、L<SB>1</SB><L<SB>2</SB>, κ<SB>1</SB> <HAN>・</HAN>L<SB>1</SB> >κ<SB>2</SB><HAN>・</HAN>L<SB>2</SB>としたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-110885
特開昭61-047685
特開昭62-155584

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