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J-GLOBAL ID：200903057134379160

ハイブリッド有機無機半導体発光ダイオード

Inventor： ネスター・エイ・ボヤジュク・ジュニア ,  スプラティク・グハ ,  リチャード・アラン・ヘイト
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998008832
Publication number (International publication number)：1998214992
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 新規のハイブリッド有機無機半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】 本装置は、電気ルミネッセンス層と、光ルミネッセンス層からなる。電気ルミネッセンス層は、装置を作動させた時、電磁スペクトルの青または紫外線(UV)領域に電気により発光する無機GaN発光ダイオードである。光ルミネッセンス層は、GaN発光ダイオード上に付着された、光ルミネッセンス効率の高い、トリス-(8-ヒドリキシキノリン)アルミニウム、Alq3などの光ルミネッセンス有機薄膜である。電気ルミネッセンス領域からのUVの放射がAlq3を励起して、緑色に光ルミネッセンス発光する。このような光変換により、緑色(可視範囲の)で作動する発光ダイオードが形成される。青または赤などの他の色は、Alq3を適宜ドーピングすることにより得られる。

Claim (excerpt)：

発光性無機電気ルミネッセンス材料の層と、有機光ルミネッセンス材料の上層からなる、ハイブリッド有機無機半導体発光ダイオード。