垂直磁気記録媒体及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：谷義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001157664
Publication number (International publication number)：2002352418
Application date： May. 25, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のため、磁区制御層に反強磁性層を使用して軟磁性裏打ち層の磁壁の制御を有効に行ない、かつ該磁気記録媒体の大量生産に適した製造方法を提供すること。【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁区制御層と軟磁性裏打ち層とが交互に少なくとも2層以上積層されており、軟磁性裏打ち層として少なくともNiとFeを含む軟磁性層を用い、磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。

Claim (excerpt)：

非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記磁区制御層と前記軟磁性裏打ち層とが交互に少なくとも2層以上積層されており、前記軟磁性裏打ち層として少なくともNiとFeを含む軟磁性層を用い、前記磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、更に該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。

IPC (5)：

G11B 5/738 , G11B 5/65 , G11B 5/667 , G11B 5/851 , G11B 5/852

FI (5)：

G11B 5/738 , G11B 5/65 , G11B 5/667 , G11B 5/851 , G11B 5/852 Z

F-Term (14)：

5D006CA03 , 5D006CA05 , 5D006CA06 , 5D006DA03 , 5D006DA08 , 5D006EA03 , 5D006FA09 , 5D112AA03 , 5D112AA04 , 5D112AA24 , 5D112BD03 , 5D112BD05 , 5D112FA04 , 5D112FB29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-125916 Applicant：株式会社日立製作所
垂直磁気記録媒体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249747 Applicant：富士通株式会社
スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331916 Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社

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