Pat
J-GLOBAL ID:200903057135763990

SQUID磁束計及びSQUID磁束計の校正方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 福田 武通 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995161601
Publication number (International publication number):1996334555
Application date: Jun. 06, 1995
Publication date: Dec. 17, 1996
Summary:
【要約】【目的】 ダイナミック特性、特に周波数特性、耐ノイズ性能を向上させたSQUID磁束計を提供する。【構成】 SQUIDアレイAa を備えたマグネトメータと、このマグネトメータとは磁場感度の方向が逆となるようにSQUIDアレイAb を備えたマグネトメータを配置した。また、各マグネトメータのSQUIDへバイアス磁束を注入するための電流値が、imbi =I0i+Im ・sinωtで表わされるとき、I0iを操作して各位相を一致させ、振幅Im を等しく変調したとき、SQUIDの出力を最小となるようにバイアス電流源を調整して磁束電圧変換率を一致させるように各マグネトメータを校正する。
Claim (excerpt):
1又はアレイ状のSQUIDを備えたn個(n:n≧1なる自然数)の第1マグネトメータと、前記第1マグネトメータとは磁場感度の方向が逆となるようにn個の第2マグネトメータを配置したことを特徴とするSQUID磁束計。
IPC (4):
G01R 33/035 ZAA ,  G01R 33/02 ,  G01R 35/00 ,  H01L 39/22 ZAA
FI (4):
G01R 33/035 ZAA ,  G01R 33/02 X ,  G01R 35/00 M ,  H01L 39/22 ZAA D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平4-264281

Return to Previous Page