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J-GLOBAL ID：200903057177256606
半導体素子の製造方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234609
Publication number (International publication number)：1999074180
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】半導体集積回路または液晶表示装置の配線工程におけるエッチング後に残存する無機質基体上のフォトレジスト膜を、低温で短時間で除去出来、且つ種々の配線および絶縁膜材料を腐食しない剥離方法を提供する。【解決手段】エッチング後の無機質基体上のフォトレジストを剥離する際、酸化剤を含有する洗浄液で、洗浄後、剥離液を使用してフォトレジスト剥離を行う。
Claim (excerpt)：
フォトレジストの剥離に先立ち、半導体基板を酸化剤を含有する洗浄液で洗浄することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 572 B
, G03F 7/42
Cited by examiner (5)
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