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J-GLOBAL ID：200903057182800306

交換結合膜及び磁気デバイス

Inventor：
指宿 隆弘

About 指宿 隆弘

, 
佐藤 雅重

About 佐藤 雅重


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006250737
Publication number (International publication number)：2008072014
Application date： Sep. 15, 2006
Publication date： Mar. 27, 2008
Summary：
【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。【解決手段】本発明に係る交換結合膜30は、Ru-Rh合金からなる非磁性層31を2つの強磁性層32a,32bで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド(読み取り素子)に適用する場合、例えば非磁性層31の厚さを0.4〜0.5nmとし、Rh含有量を5〜40at%とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層31の厚さを0.4〜0.6nmとし、Rh含有量を5〜70at%とする。更に、本発明の交換結合膜をMRAMに適用する場合、非磁性層31の厚さを例えば0.3〜0.7nmとし、Rh含有量を5〜40at%とする。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
非磁性層と、 前記非磁性層を挟んで配置されて磁化が反平行方向に交換結合した第1及び第2の強磁性層とを有し、 前記非磁性層がRu-Rh合金により構成されていることを特徴とする交換結合膜。
IPC (9)：
H01L 43/10 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (8)：
H01L43/10 ,  G11B5/66 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
F-Term (44)：
4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119EE26 ,  5D006BB08 ,  5D006DA03 ,  5D034BA03 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049EB03 ,  5E049EB06 ,  5F092AA11 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD06 ,  5F092BB03 ,  5F092BB05 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BE27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)
  • 磁気検出素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-351771   Applicant：アルプス電気株式会社
  • 磁気検出素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-182337   Applicant：アルプス電気株式会社

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