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J-GLOBAL ID:200903057189290362

PTC素子及びこれを用いた保護回路、回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994313588
Publication number (International publication number):1996172001
Application date: Dec. 16, 1994
Publication date: Jul. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】 初期抵抗値が十分に低く、PTC特性に優れたPTC素子を提供する。さらには、電圧を検知して動作する新規な保護回路及び回路基板を提供する。【構成】 結晶性高分子中に導電性粒子を分散させてなるPTC素子において、前記導電性粒子として、核粒子に金属被覆を施した金属被覆粒子を用いる。金属被覆粒子の平均粒径は、10〜40μmであり、導電性粒子の割合は、25〜60容量%である。このPTC素子の初期体積抵抗値は、10-1Ω・cm以下である。保護回路は、前記PTC素子と、発熱体及び検知素子からなり、PTC素子と発熱体とが絶縁樹脂被覆層を介して接触され、発熱体が検知素子により通電される。検知素子は電圧検知素子であり、絶縁樹脂被覆層は絶縁性高分子中に高熱伝導性の無機物質を分散した組成物からなる。
Claim (excerpt):
結晶性高分子中に導電性粒子を分散させてなるPTC素子において、前記導電性粒子が核粒子に金属被覆を施した金属被覆粒子であることを特徴とするPTC素子。
IPC (3):
H01C 7/02 ,  H05B 3/00 320 ,  H05B 3/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-081460
  • 特開昭57-116537
  • 特開昭60-247127
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