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J-GLOBAL ID：200903057191276504

化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ

Inventor： 川瀬 智博
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052453
Publication number (International publication number)：1995300385
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 るつぼに対する原料融液の濡れを完全に防止して、多結晶の発生を抑え、化合物半導体結晶を歩留り良く製造することのできる結晶の製造方法及び長寿命のるつぼを提供しようとするものである。【構成】 予めるつぼ表面にホウ素又はホウ素化合物を含有する層を形成し、該層を熱処理することにより、少なくとも該層表面に酸化ホウ素を含有する層を形成した後、該るつぼに原料を充填して融液を形成し、該るつぼの一端より該融液を固化して結晶を成長することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法、及び、その方法に使用するるつぼである。

Claim (excerpt)：

予めるつぼ表面にホウ素又はホウ素化合物を含有する層を形成し、該層を熱処理することにより、少なくとも該層表面に酸化ホウ素を含有する層を形成した後、該るつぼに原料を充填して融液を形成し、該るつぼの一端より該融液を固化して結晶を成長することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/208