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J-GLOBAL ID:200903057203196960
深紫外光源及び、その深紫外光源を用いたマスク検査装置及び露光装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
家入 健
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006026282
Publication number (International publication number):2007206452
Application date: Feb. 02, 2006
Publication date: Aug. 16, 2007
Summary:
【課題】 室温で動作することが可能な深紫外光を効率良く発生できるレーザ光源を提供することであり、また、この深紫外光レーザ光源により、高い欠陥検出感度を有する小型で安定したマスク検査装置及び露光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 波長0.90μm以上0.92μm以下のレーザ光を出射する固体レーザと、前記固体レーザから取り出された波長0.90μm以上0.92μm以下のレーザ光の第4高調波を発生させる第4高調波発生部と、前記第4高調波発生部で発生した第4高調波と、波長1.3μm帯のレーザ光との和周波の光を発生させる和周波発生部とを備える深紫外光源。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
波長0.90μm以上0.92μm以下のレーザ光を出射する固体レーザと、
前記固体レーザから取り出された波長0.90μm以上0.92μm以下のレーザ光の第4高調波を発生させる第4高調波発生部と、
前記第4高調波発生部で発生した第4高調波と、波長1.3μm帯のレーザ光との和周波の光を発生させる和周波発生部とを備える深紫外光源。
IPC (4):
G02F 1/37
, H01S 3/109
, H01S 3/108
, H01S 3/16
FI (4):
G02F1/37
, H01S3/109
, H01S3/108
, H01S3/16
F-Term (24):
2K002AB12
, 2K002BA04
, 2K002CA02
, 2K002EA10
, 2K002HA19
, 2K002HA20
, 5F172AD06
, 5F172AE01
, 5F172AE08
, 5F172AE09
, 5F172AF02
, 5F172CC07
, 5F172DD03
, 5F172EE13
, 5F172NN13
, 5F172NN24
, 5F172NQ09
, 5F172NQ23
, 5F172NQ33
, 5F172NQ35
, 5F172NQ62
, 5F172NR12
, 5F172NR24
, 5F172ZZ02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
異物検査装置及び異物検査方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-083883
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-025890
Applicant:株式会社日立製作所
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