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J-GLOBAL ID：200903057235893700

イオンビーム電流の補正方法、イオン注入方法及び装置

Inventor： 加勢 正隆 ,  久保 智裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068370
Publication number (International publication number)：1996264152
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 イオン注入装置に関し、注入量の誤差やウェーハ面内分布の異常を抑えるイオンビームの補正方法、イオン注入方法及び装置を提供する。【構成】 イオン注入装置において、真空度によりイオンビーム電流を補正するイオンビーム電流の補正方法であって、イオンビームの走行する経路上又はその近傍の真空度に対し、経路上の場所に依存する真空度の真空成分に係る補正係数と、経路上の場所に依存しない真空度の真空成分に係る補正係数とを用いてイオンビーム電流を補正する。イオンビーム電流の補正精度が向上し、注入量の誤差やウェーハ面内分布の異常の発生を減少することができる。

Claim (excerpt)：

イオン注入装置において、真空度によりイオンビーム電流を補正するイオンビーム電流の補正方法であって、イオンビームの走行する経路上又はその近傍の真空度に対し、前記経路上の場所に依存する前記真空度の真空成分に係る補正係数と、前記経路上の場所に依存しない前記真空度の真空成分に係る補正係数とを用いて前記イオンビーム電流を補正することを特徴とするイオンビーム電流の補正方法。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01J 37/317 C ,  C23C 14/48 B ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/265 D