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J-GLOBAL ID：200903057237963471

液晶表示素子の製造方法

Inventor： 村井 伸次 ,  中野 義彦 ,  川田 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228740
Publication number (International publication number)：1995084266
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【構成】 透明基板(111 )の主面上に設けられた透明電極(121 )上にポリシラン薄膜を成膜し、このポリシラン薄膜にグレーティング状のパターン光照射を施すことにより、液晶配向膜(191 )を形成する。【効果】 基板等の汚染を生じることなく、液晶分子に対して充分な配向能を有する液晶配向膜を容易に形成することができる。

Claim (excerpt)：

対向する1対の透明基板と、これら透明基板の対向する主面上に設けられた透明電極と、この透明電極上に形成された液晶配向膜と、前記透明基板間に前記透明電極及び液晶配向膜を介して封入された液晶材料とを具備する液晶表示素子の製造方法であって、前記透明電極上にポリシラン薄膜を成膜しこのポリシラン薄膜にグレーティング状のパターン光照射を施すことにより前記液晶配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/1337 530 ,  G02F 1/1337