Pat
J-GLOBAL ID：200903057242911021

光センサー

Inventor：
半那 純一

About 半那 純一

, 
青木 大吾

About 青木 大吾


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 内田 亘彦 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997155284
Publication number (International publication number)：1999004011
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 情報記録媒体へ光情報を高品質、高感度に記録することができる光センサーを得る。【解決手段】 本発明の光センサーは、電極層上に光誘起電流増幅層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなる光センサーであって、電極層上に電界または電荷により情報記録可能な情報記録媒体とが光軸上に対向して配置され、両電極層間に情報露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で情報露光することにより情報記録媒体への情報記録を可能とする光センサーにおいて、該光センサーにおける光誘起電流増幅層が、露光により電荷受容性が減少する電荷受容性物質、および電荷輸送物質を含有するか、又は、更に電荷発生層における電荷発生物質よりイオン化ポテンシャルの高い電荷発生物質を含有するものである。
Claim (excerpt)：
電極層上に光誘起電流または光誘起電荷増幅層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなる光センサーであって、電極層上に電界または電荷により情報記録可能な情報記録媒体とが光軸上に対向して配置され、両電極層間に情報露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で情報露光することにより情報記録媒体への情報記録を可能とする光センサーにおいて、該光センサーにおける光誘起電流または光誘起電荷増幅層が、露光により電荷受容性が減少する電荷受容性物質、および電荷輸送物質を含有することを特徴とする光センサー。
IPC (4)：
H01L 31/08 ,  G01J 1/02 ,  G03G 5/07 102 ,  G11B 7/24 501
FI (4)：
H01L 31/08 Q ,  G01J 1/02 R ,  G03G 5/07 102 ,  G11B 7/24 501 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM