III族窒化物系化合物半導体

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055094
Publication number (International publication number)：2003252700
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】より少ない工程による貫通転位の抑制されたIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。【解決手段】サファイア基板1上にドライエッチングによりサファイア基板1の少なくとも一部を点状、ストライプ状又は格子状等の島状に改質処理する工程と、AlNバッファ層4をサファイア基板1上に形成する工程と、サファイア基板1の改質処理されなかった表面に形成されたAlN層4aを核として、所望のIII族窒化物系化合物半導体5を、サファイア基板1の改質処理された表面上に形成されたAlN層4bを空間無く覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有し、AlNバッファ層4は、Alをターゲットとし、窒素雰囲気化で行う反応性スパッタリング法による。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の上にAlNバッファ層を介してIII族窒化物系化合物半導体を成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法であって、ドライエッチングにより前記サファイア基板の少なくとも一部を点状、ストライプ状又は格子状等の島状に、次に成長させるAlNバッファ層の膜厚よりも浅い深さに改質処理する工程と、前記AlNバッファ層を改質処理後の前記サファイア基板の上に形成する工程と、所望のIII族窒化物系化合物半導体を、前記サファイア基板の改質処理されなかった表面に形成された前記AlNバッファ層を各として縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有し、前記AlNバッファ層は、Alをターゲットとし、窒素雰囲気化で行う反応性スパッタリング法によることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (33)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EE02 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077SC10 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-108497 Applicant：松下電子工業株式会社
窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-168079 Applicant：日亜化学工業株式会社

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