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J-GLOBAL ID：200903057250609660

炭化珪素半導体結晶膜形成装置および炭化珪素半導体結晶膜形成方法

Inventor：
俵 武志

About 俵 武志


Applicant, Patent owner：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

About 富士電機デバイステクノロジー株式会社


Agent (1)： 酒井 昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007115118
Publication number (International publication number)：2008270682
Application date： Apr. 25, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：
【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール2の内壁面にウエハー6を設置し、ホットウォール2内にガスを供給してウエハー6の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール2はグラファイトで形成されており、ホットウォール2の内壁面のうち、ウエハー6が設置される面およびウエハー6の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート7で被覆されている。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成装置であって、 前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、 前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーのおもて面または裏面と接触または対峙する面以外の面は、炭化タンタルで被覆されていることを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/08
FI (4)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/08
F-Term (42)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB21 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EG25 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TD01 ,  4G077TD03 ,  4G077TE02 ,  4G077TE05 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TF03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EK03 ,  5F045EK21 ,  5F045EM09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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