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J-GLOBAL ID：200903057252624306

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 渡部 毅代登
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997020365
Publication number (International publication number)：1998223883
Application date： Feb. 03, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 オン電圧の改善に着目し、オン電圧を更に低減したIGBTを提供する。【解決手段】 n型ベース層1の表面内にp型ベース層11と独立してn型バッファ層41が選択的に形成され、n型バッファ層41の表面内に不純物濃度が比較的高濃度なp型コレクタ層17が選択的に形成されている。フィールド酸化膜12のp型ベース層11側の端縁部と、p型ベース層11の端縁部との間のn型ベース層1の表面内には、p型ベース層11に隣接してn型ベース層21が選択的に形成されている。また、フィールド酸化膜12のp型ベース層11側の端縁部からは、n型ベース層21の上部からn型エミッタ層15の端縁部近傍のp型ベース層11上部にかけてゲート絶縁膜13が延在し、ゲート絶縁膜13の上部およびフィールド酸化膜12の一部上部にかけてゲートとなるポリシリコン膜14が形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面内に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の表面内に選択的に形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第1の半導体層の表面内に前記第2の半導体層と独立して選択的に形成された第2導電型の第4の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第4の半導体層側の側面に隣接して選択的に形成された第1導電型の第5の半導体層と、少なくとも前記第3の半導体層の近傍の前記第2の半導体層の上部に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された制御電極部と、を備え、前記第5の半導体層の不純物濃度が、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。