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J-GLOBAL ID：200903057258957900

真空処理装置及び真空処理方法

Inventor： 越野 圭二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991251207
Publication number (International publication number)：1993090211
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は真空処理装置及び真空処理方法に関し、被処理基板の表面状態を分析する際に、処理後の状態等分析に最も有効な状態に保持することを目的とする。【構成】 被処理基板3を真空中において処理する真空処理装置であり、真空排気され被処理基板3に対して処理を行う処理室1と、該処理室1に接続されており、真空排気され被処理基板3の表面の状態を分析する分析室2と、該処理室1と分析室2の間を真空状態を保持したまま被処理基板3を移送する移送手段4と、被処理基板3の温度を管理する温度管理手段5とを有する構成とする。また、被処理基板3を真空中で処理する真空処理方法であり、前記温度管理手段5により常時温度管理しながら前記処理室1で処理を行う工程と、前記分析室2により分析を行う工程とがなされる構成とする。

Claim (excerpt)：

被処理基板(3) を真空中において処理する真空処理装置であり、真空排気され被処理基板(3) に対して処理を行う処理室(1) と、該処理室(1) に接続されており、真空排気され被処理基板(3) の表面の状態を分析する分析室(2) と、該処理室(1) と分析室(2) の間を真空状態を保持したまま被処理基板(3) を移送する移送手段(4) と、被処理基板(3) の温度を管理する温度管理手段(5) とを有することを特徴とする真空処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/68