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J-GLOBAL ID：200903057259040881

シリコンウエーハの製造方法、およびその装置

Inventor： 加藤 忠弘 ,  工藤 秀雄
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148629
Publication number (International publication number)：1994338484
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウエーハ製造工程の簡略化、製造時間の短縮化およびシリコンウエーハ品質向上が可能な製造方法および装置を提供する。【構成】 エッチング槽4のエッチング液1に、面取り後のウエーハWを定着したウエーハチャック5と研削部材7を上下方向に対向させて浸漬する。エッチング液をエッチング槽4に供給・溢流させながらチャック5を自転、研削部材7を自転および公転させることにより、ウエーハWについて研削加工とエッチングを同時に行う。エッチング液としてはフッ酸・硝酸・水からなる所定組成の混酸、またはアルカリ水溶液を用いる。研削加工と、これに起因するウエーハの加工変質層や重金属の除去のためのエッチングとを単一の工程で迅速に行うことができる。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンインゴットを、その引上軸を回転軸として外径研削した後、前記引上軸に垂直、またはほぼ垂直方向にスライスして得られるウエーハを面取りし、次いでその主面をエッチング液中で研削し、更に鏡面研磨仕上げを行うことによる半導体デバイス用シリコンウエーハの製造方法であって、前記エッチング液中での研削は、遊離砥粒を含まず、かつウエーハ表面部に存在する加工変質層を選択的にエッチングしうるエッチング液中で行うことを特徴とする半導体デバイス用シリコンウエーハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306