結晶育成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997367707
Publication number (International publication number)：1999199364
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】全面にわたって欠陥の少ない高品質なウエーハを製造する。【解決手段】 CZ法により単結晶9を育成する。原料融液8から単結晶8を引き上げるときの引き上げ速度を、OSFリングが結晶外周部より内側に生じるか、若しくは中心部で消滅する低速度とする。結晶引き上げ路の外側に設けられる熱遮蔽部材6の有効断熱部下端から原料融液8の液面までの距離Lを、結晶径Dの10%超とする。OSFリングの外側での転位クラスタの発生が防止されると共に、引き上げ速度が高速化される。

Claim (excerpt)：

CZ法を用い、且つOSFリングが引き上げ結晶の最外周部より内側に生じるか若しくは中心部で消滅する低速引き上げ条件で単結晶を育成する結晶育成方法において、結晶引き上げ路の外側に配置される逆錐状の熱遮蔽部材の有効断熱部下端から坩堝内の原料融液の液面までの距離を、引き上げ結晶径の10%超とすることを特徴とする結晶育成方法。

IPC (3)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B 15/00 Z , C30B 29/06 502 C , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-338107 Applicant：信越半導体株式会社
単結晶の製造装置および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-100190 Applicant：住友シチックス株式会社
半導体単結晶引き上げ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-344980 Applicant：コマツ電子金属株式会社

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