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J-GLOBAL ID：200903057266388648
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996295073
Publication number (International publication number)：1998144682
Application date： Nov. 07, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 AlAs層に選択酸化を行なう際に、自然酸化膜の影響を除去して均一性および再現性を向上させる。【解決手段】 酸化工程として、AlAs被酸化層が露出した試料を載置した酸化炉内にドライな窒素ガス等を導入することによってこの被酸化層に形成された自然酸化膜からAs酸化物を除去してAl酸化物のみを残す第1の工程と、この第1の工程後の試料に水蒸気を含む窒素ガスを導入することによって被酸化層を選択酸化する第2の工程とを備える。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層中に酸化層を形成するための酸化工程を有する半導体装置の製造方法において、前記酸化工程が、被酸化層が露出した半導体装置を載置した第1の酸化炉内に非活性ガスまたは還元性ガスを導入することによって、この被酸化層に形成された自然酸化膜から陰イオン側元素の酸化物を除去して陽イオン側元素の酸化物のみを残す第1の工程と、この第1の工程後の前記半導体装置を載置した第2の酸化炉内に酸化種を導入することによって前記被酸化層を酸化する第2の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/316 S
, H01S 3/18
