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J-GLOBAL ID：200903057270330980
位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992146267
Publication number (International publication number)：1993313346
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 シフタエッヂ部での位相差ズレのない位相シフトマスクを安定に製造する。【構成】 金属膜4からなるシフタ形成用窓41を通して石英基板1裏面より紫外光を照射しながらSiO膜61を選択的に成長させることによりシフタを形成する。【効果】 SiO膜のエッチング工程がないため、石英基板のエッチングが生ずることなく位相シフトマスクを製造できるため、シフタエッヂ部での位相差ズレを抑制できる。
Claim (excerpt)：
位相シフト法を用いた位相シフトマスクを製造する方法において、石英基板上に金属膜を形成する工程と、フォトレジストをマスクとして、前記金属膜をエッチングし、シフタ形成領域に窓を開ける工程と、前記窓を通して石英基板裏側から紫外線を照射しながらSiO膜をシフタ形成領域に選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
