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J-GLOBAL ID：200903057271619461

偏光放射エネルギーを用いる半導体処理装置および方法

Inventor： シェーン アール.パーマー ,  ゴング チェン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994307914
Publication number (International publication number)：1995288222
Application date： Dec. 12, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】改良された、偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装置および方法を開示する。【構成】半導体ウェハ14上の放射感受性材料層12を露光するための光リソグラフ装置10が提供される。装置10は、偏光放射エネルギー源18と、マスク20と、レンズ22と、を含む。光源28からの放射エネルギーは、偏光フィルタ30により所定方向に偏光せしめられる。偏光せしめられた放射エネルギーは、マスク20を通過せしめられ、層12を所定パターンに露光する。駆動部材32は、1回の露光中に、偏光せしめられた放射エネルギーに対し1つより多くの偏光方向を与えるために偏光フィルタ30を回転せしめ得る。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光するための光リソグラフ装置であって、該装置が、偏光放射エネルギー源であって、該放射エネルギーが所定方向に偏光している該偏光放射エネルギー源と、該放射エネルギー源と前記ウェハとの間に配置されうるマスクと、該マスクを通して送られた前記偏光放射エネルギーを前記ウェハ上に集束させて前記放射感受性材料を所定パターンに露光するレンズと、を含む光リソグラフ装置。