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J-GLOBAL ID：200903057298114841

III族窒化物系化合物半導体の製造方法

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

, 
山崎 史郎

About 山崎 史郎


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001221425
Publication number (International publication number)：2003037069
Application date： Jul. 23, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 クラックの無い、厚膜のIII族窒化物系化合物半導体を得ること。【解決手段】c面を主面とするサファイア基板1をRFスパッタリング装置にセットする(a)。ZnOのターゲットをスパッタして厚さ100nmで、ZnOから成る中間層2を形成する(b)。ハロゲン輸送装置にセットし、サファイア基板1を温度1000°Cに加熱する。GaClx(x=1〜3)とNH3をサファイア基板1の表面に供給して、約200μm厚のGaN層3の成長を行う(c)。こののち、塩化水素(HCl)ガスを供給して、ZnOから成る中間層2を周縁部から塩化水素(HCl)ガスによりエッチングする(d)。こうして、ZnOから成る中間層2がGaN層3とサファイア基板1をつなぐ領域を小さくすることができ(e)、或いはほとんど完全に除去することも可能である。こののち室温までもどしても熱応力によるクラックは生ぜず、厚膜のGaN基板3を得ることができる。
Claim (excerpt)：
異種基板を用いてIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、前記異種基板に、ガスエッチング可能なバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、前記バッファ層の上に気相成長法によりIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる半導体形成工程とを有し、前記半導体形成工程の間、又はその後に、前記バッファ層をガスエッチングにより少なくとも一部エッチングすることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
F-Term (21)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ04 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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