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J-GLOBAL ID：200903057300573166

露光方法及び反射型マスク

Inventor： 伊東 昌昭 ,  小川 太郎 ,  山梨 弘将 ,  瀬谷 英一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256288
Publication number (International publication number)：2000091194
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 極端紫外光リソグラフィ技術において、反射型マスクの位置合わせ用マークの形成方法を簡単化する。【解決手段】 反射型マスクにおいて、多層膜2の上に物質を積層し、物質を除去してパターン5とマーク6を形成する。【効果】 簡単な製造工程で、反射型マスクのパターンと位置合わせ用マークが形成可能となる。

Claim (excerpt)：

極端紫外光領域の露光光を反射型マスクに照射する工程と、該反射型マスクのパターンを投影光学系を介して試料に転写する工程とを含む露光方法において、該反射型マスクは多層膜の上にマークが形成され、光を該マークに照射し、該マークから反射される光を用いて該反射型マスクと該試料との位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4)：

H01L 21/30 525 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 525 R

F-Term (15)：

5F046AA25 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB02 ,  5F046CB17 ,  5F046CB25 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046EA02 ,  5F046EA03 ,  5F046EB02 ,  5F046EB03 ,  5F046FA03 ,  5F046FA20