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J-GLOBAL ID：200903057311968367
アクテイブマトリクスパネルおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
住吉 多喜男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285508
Publication number (International publication number)：1993100249
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 TFT特性の安定したアクティブマトリクスパネルを得る。【構成】 ゲート電極2がゲート信号線にソース電極またはドレイン電極6がデータ信号線に接続されるとともにマトリクス状に配列された複数のトランジスタ25と、該トランジスタ25のドレイン電極またはソース電極6に接続された電荷保持用蓄積容量30とからなる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネルにおいて、該トランジスタを逆スタガー型の薄膜電界効果トランジスタとし、該電荷保持用蓄積容量30を液晶ディスプレイの画素電極7と下部透明電極3の間にゲート絶縁膜4を介在させたサンドイッチ構造で画素電極7の全体にわたって構成し、該逆スタガー型薄膜電界効果トランジスタ25のゲート電極2を該蓄積容量30の下部透明電極3と同時に形成した透明導電膜とした液晶パネル用アクティブマトリクスパネル。
Claim (excerpt)：
ゲート電極がゲート信号線にソース電極またはドレイン電極がデータ信号線に接続されるとともにマトリクス状に配列された複数のトランジスタと、該トランジスタのドレイン電極またはソース電極に接続された電荷保持用蓄積容量とからなる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネルにおいて、該トランジスタは、逆スタガー型の薄膜電界効果トランジスタであり、該電荷保持用蓄積容量は、液晶ディスプレイの画素電極と下部透明電極の間にゲート絶縁膜を介在させて構成され、該逆スタガー型薄膜電界効果トランジスタのゲート電極は、該蓄積容量の下部透明電極と同時に形成された透明導電膜から構成されることを特徴とする液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネル。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
