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J-GLOBAL ID：200903057318850795

プラズマ処理装置

Inventor： 大倉 英一郎 ,  豊田 正人 ,  中谷 康雄 ,  勝田 浩誠
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994196572
Publication number (International publication number)：1996064390
Application date： Aug. 22, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ反応ガスからの荷電粒子や紫外線による被処理材のダメージを低減させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成室(1)と、電磁エネルギ供給手段(5)と、反応室(2)と、反応室(2)内において被処理材(4)を支持するためのステージ(3)と、プラズマ生成室(1)と反応室(2)をそれらの軸が互いに変位させられた状態で接続するための接続チャンバ(7)を備え、その接続チャンバは接地電位に接続されている。

Claim (excerpt)：

反応ガスをプラズマ化させるプラズマ生成室と、プラズマを生成させる電磁エネルギを与えるためのエネルギ供給手段と、被処理材を反応処理するための反応室と、前記反応室において前記被処理材を支持するためのステージと、前記プラズマ生成室と前記反応室とをそれらの軸が互いに変位させられた状態で接続するための接続チャンバとを備え、前記接続チャンバは接地電位に接続されるべき導電材を含んでいることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H