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J-GLOBAL ID：200903057322406484

プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994097296
Publication number (International publication number)：1995307326
Application date： May. 11, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 CuやPt等の難エッチング金属を実用的なエッチングレートで、残渣をともなわずに異方性エッチングする装置および方法を提供する。【構成】 被エッチング基板1を赤外線照射加熱手段で加熱しつつ、ヘリコン波アンテナ7等高密度プラズマ発生源を有するプラズマエッチング装置によりパターニングする。【効果】 高イオンフラックスでのスパッタリング効果と、短時間の基板加熱により、再拡散や酸化等の素子劣化を伴うことなく、上記目的が達成できる。基板ステージ加熱手段3により実プロセス温度以下に被エッチング基板を制御しておけば、この効果は徹底される。

Claim (excerpt)：

1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度が得られるプラズマ発生源と、基板ステージ上の被エッチング基板への赤外線照射加熱手段を具備してなることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00