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J-GLOBAL ID：200903057330604031

SOI基板およびその製造方法

Inventor： 中井 哲弥 ,  新行内 隆之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083988
Publication number (International publication number)：1994283421
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 薄膜SOI/MOSFET作製用基板として用いることができるSOI基板およびその製造方法を提供する。【構成】 酸素イオン2を注入後、熱処理を施して、単結晶シリコン基板1内部に埋込二酸化ケイ素層3を形成し、シリコン基板1の表面に100nm以下の薄い単結晶シリコン層5を形成し、この単結晶シリコン層5中にキャビティ8を形成し、埋込二酸化ケイ素3層下にゲッタリング層12を形成する。このキャビティ8は格子間シリコンのシンクとなる。埋込二酸化ケイ素層3が単結晶シリコン層5とゲッタリング層12との間に形成されているので、ゲッタリング層12の欠陥が単結晶シリコン層5には及ばない。このゲッタリング層12の欠陥は、単結晶シリコン層5中の不純物汚染をゲッタリングする。この結果、単結晶シリコン層5の結晶性が向上し、かつ、その不純物汚染が低減できるものである。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン層を有するSOI基板において、上記単結晶シリコン層の厚さが100nm以下であり、その膜厚均一性が±5nm以下であり、その欠陥密度が103/cm2以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12