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J-GLOBAL ID：200903057340046290

ドライエツチング方法

Inventor： 小林 元樹
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267822
Publication number (International publication number)：1993003179
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、アルミニウムを含む金属膜をアンダカットなく、さらに残渣なく異方性エッチングすることができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 無機物マスクが形成されたアルミニウムを含む金属膜を有する基板20を準備し、塩化物ガスと酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスまたは、塩化物ガスと塩素ガスと酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスをマイクロ波と磁場とで相互作用させて放電プラズマを生成し、この放電プラズマによってアルミニウムを含む金属膜をエッチングする。

Claim (excerpt)：

アルミニウムを含む金属膜を有する基板を準備し、塩化物ガスと酸素ガス及び窒素ガスから成る混合ガスをマイクロ波と磁場とで相互作用させて放電プラズマを生成し、前記放電プラズマによって前記アルミニウムを含む金属膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-249421
  
• 特開昭55-021594
  
• 特開昭60-105235
  
• 特開昭64-082630