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J-GLOBAL ID：200903057351089781

半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 淳 ,  中谷 喜紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997261515
Publication number (International publication number)：1999103064
Application date： Sep. 26, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 比較的耐熱性の低い樹脂基板または樹脂フィルム上に半導体装置が形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、半導体薄膜を形成する工程と、所望の形状に加工されたマスクを形成する工程と、該マスクを用いて前記半導体薄膜の所望する領域に不純物の注入を行う工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入工程より前に、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルムの被注入面を無機薄膜で被覆する工程を有し、注入される不純物が実質上、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルム、あるいはその表面にコーティングされた有機薄膜に到達することを防ぐことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、半導体薄膜を形成する工程と、所望の形状に加工されたマスクを形成する工程と、該マスクを用いて前記半導体薄膜の所望する領域に不純物の注入を行う工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入工程より前に、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルムの被注入面を無機薄膜で被覆する工程を有し、注入される不純物が実質上、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルム、あるいはその表面にコーティングされた有機薄膜に到達することを防ぐことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/266

FI (7)：

H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 S