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J-GLOBAL ID：200903057351403036

CVD法による酸化物系誘電体薄膜の製法

Inventor： 内川 英興 ,  松野 繁 ,  木ノ内 伸一 ,  本多 俊久 ,  黒岩 丈晴 ,  渡井 久男 ,  檜垣 孝志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289780
Publication number (International publication number)：1993299365
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】 CVD法により酸化物系誘電体薄膜を製造するにあたって、金属原子が酸素原子を介して有機基と結合した原料化合物の気化工程および輸送工程の少なくとも一方の工程において、前記原料化合物に沸点100°C以下の有機溶剤の蒸気を接触させる。【効果】 酸化物系誘電体薄膜の原料化合物を従来よりも低温で、かつ安定に気化、反応部へ輸送ができるので、均一な組成制御が可能となり、すぐれた性能を有する酸化物系誘電体薄膜が製造できる。

Claim (excerpt)：

金属原子が酸素原子を介して有機基と結合した原料化合物を用いてCVD法により酸化物系誘電体薄膜を製造する際に、前記原料化合物の気化工程および輸送工程の少なくとも一方の工程において、前記原料化合物に、沸点100°C以下の有機溶剤の蒸気を接触させることを特徴とするCVD法による酸化物系誘電体薄膜の製法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108