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J-GLOBAL ID：200903057377888631

半導体圧力変換器

Inventor：
米田 雅之

About 米田 雅之


Applicant, Patent owner：
山武ハネウエル株式会社

About 山武ハネウエル株式会社


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996118955
Publication number (International publication number)：1997304206
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 温度や静圧によるゼロシフトとそのばらつきを最小にする。【解決手段】 正方形の半導体チップ3の中央に正方形のダイアフラム3を半導体チップ3に対し略45°傾けて形成する。この半導体チップ3を台座4に陽極接合する。半導体チップ3の厚肉部2aの裏面全体は、台座4に接合されておらず、各角部が段差部10の形成によって台座4から離間されることにより非接合部13を形成している。非接合部13の大きさは、拡散抵抗6a〜6dに生じる半導体チップ3の対角線方向(ダイアフラムの辺に垂直な方向)の応力σrとチップの対角線に垂直な方向(ダイアフラムの辺に平行な方向)の応力σθが等しくなるように形成される。
Claim (excerpt)：
多角形の半導体チップの中央に多角形のダイアフラムを半導体チップに対し略45°傾けて形成し、前記ダイアフラムの縁部付近で前記半導体チップの対角線上に拡散抵抗を設け、前記半導体チップの厚肉部を台座に接合した半導体圧力変換器において、前記拡散抵抗に生じる半導体チップの対角線方向の応力と前記対角線に垂直な方向の応力が等しくなるように前記半導体チップの角部と前記台座との間に非接合部を設けたことを特徴とする半導体圧力変換器。
IPC (2)：
G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00
FI (2)：
G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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