Pat

J-GLOBAL ID：200903057379520631

成膜装置のクリーニング方法及び処理方法

Inventor： 波多野 達夫
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997180790
Publication number (International publication number)：1999016858
Application date： Jun. 21, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Ti膜の成膜ガスであるTiCl4 ガスを用いてプラズマレスで不要なTi膜を除去する成膜装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】 被処理体Wの表面に少なくともTiを含有する金属膜を成膜する成膜装置2のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてTiCl4 ガスを用いる。これにより、Ti膜の成膜工程から引き続きクリーニング工程を実施する時に、装置内の温度を変化させることなく連続的にクリーニング工程を実施することができる。

Claim (excerpt)：

被処理体の表面に少なくともTiを含有する金属膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてTiCl4 ガスを用いたことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C