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J-GLOBAL ID：200903057385492798

薄膜デバイスの製造方法

Inventor： 笠井 勉 ,  谷口 秀明 ,  中谷 光雄 ,  月井 教男 ,  笹野 晃
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123074
Publication number (International publication number)：1993313202
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 信号線が断線するのを防止する。【構成】 走査信号線GLを形成し、走査信号線GLの一部を陽極酸化して陽極酸化膜AOFを設けたのちに、走査信号線GLと接続されたゲート端子GTMを形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタを有し、信号線上に陽極酸化膜が設けられた薄膜デバイスを製造する方法において、上記信号線を形成し、上記信号線の一部を陽極酸化したのちに、上記信号線と接続された端子を形成することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784