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J-GLOBAL ID：200903057394143100

静電破壊保護回路とその製造方法

Inventor： 金谷 康弘
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995327480
Publication number (International publication number)：1997167802
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 周辺回路部のMOSトランジスタのしきい値の上昇を招くことなしに静電破壊保護回路の基板濃度を高め、静電破壊耐性を向上させる。【解決手段】 P型の半導体基板1上の静電破壊保護回路形成領域(A)のチャネル領域にボロンイオン(11B+ )を注入してn+ 型ソース・ドレイン拡散層17、18近傍の基板濃度を高くしてソース・ドレイン拡散層と基板との空乏層幅を狭めたものである。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上の静電破壊保護回路のチャネル領域に不純物を注入してソース・ドレイン近傍の基板濃度を高くしてソース・ドレインと基板との空乏層幅を狭めたことを特徴とする静電破壊保護回路。

IPC (2)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092