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J-GLOBAL ID：200903057405658299
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129453
Publication number (International publication number)：1994338514
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高温逆バイアス(BT)試験においても耐圧の劣化を生じ難い、高信頼性を有する高耐圧P基板型半導体装置を提供する。【構成】 P型の半導体基板1にN型の素子拡散領域および該素子拡散領域の周囲の前記P型基板表面に該素子拡散領域を取囲むN型のガードリング領域5を備えた半導体装置において、前記コレクタ領域4の表面に基板濃度より高い濃度の同型の不純物層15を備える。
Claim (excerpt)：
P型の半導体基板にN型の素子拡散領域および該素子拡散領域の周囲の前記P型基板表面に該素子拡散領域を取囲むN型のガードリング領域を備えた半導体装置において、前記コレクタ領域の表面に基板濃度より高い濃度の同型の不純物層を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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