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J-GLOBAL ID:200903057414377804

透明導電膜の成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992006101
Publication number (International publication number):1993190032
Application date: Jan. 17, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は透明導電膜の成膜方法に関し,膜厚が均一で抵抗率の分布が一様な透明導電膜を得ることを目的とする。【構成】 直流マグネトロンスパッタ装置を用いて基板1上に透明導電膜を成膜するに際し,基板1とターゲット5の間の空間にターゲット5のエロージョン領域8に対向する遮蔽板4を配置して成膜するように構成する。また,前記遮蔽板4は無機物遮蔽板及び無機物遮蔽板のターゲット5と対向する面に被着された有機物被膜からなるように構成する。また,直流マグネトロンスパッタ装置を用いて基板1上に透明導電膜を成膜するに際し,基板1とターゲット5の間の空間にターゲット5のエロージョン領域8に対向する遮蔽板4を配置し,かつその空間を囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔を有する膜厚補償シールド9を配置して成膜するように構成する。
Claim (excerpt):
直流マグネトロンスパッタ装置を用いて基板(1) 上に透明導電膜を成膜するに際し,該基板(1) とターゲット(5) の間の空間に該ターゲット(5) のエロージョン領域(8) に対向する遮蔽板(4) を配置して成膜することを特徴とする透明導電膜の成膜方法。
IPC (3):
H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14

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