Pat
J-GLOBAL ID：200903057421288736
半導体レーザ装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991328522
Publication number (International publication number)：1993167174
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる低雑音でしかも、低消費電力で量産性の高い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 活性層となるGa1ーXAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、順次、一導電型のGa1ーY1AlY1As第一クラッド層、Ga1ーCAlCAsエッチングストップ層および、リッジ状のGa1ーY2AlY2As第二クラッド層を備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って、これらとは逆の導電型のGa1ーZAlZAs電流ブロック層を備えてなり、AlAs混晶比、X、YおよびZの間に、Z>Y2>X≧0、Y1>C>Xの関係を成立させた構成を有している。
Claim (excerpt)：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As層、Ga1-CAlCAs層および、リッジ状のGa1-Y2AlY2As層を順次、備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って、これらとは逆の導電型のGa1-ZAlZAs層を備えてなり、AlAs混晶比、X、Y1、Y2、CおよびZの間に、Z>Y2>X≧0、Y1>C>Xの関係を成立させたことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
